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及字的结构_及字的结构

时间:2025-01-13 13:57 阅读数:1405人阅读

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及字的结构

三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“,授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错...

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(°ο°) 长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构;形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽,目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体...

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长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度...

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˙ω˙ 长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“,授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的...

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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线...金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117835694A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括衬底和多条字线;多条字线均沿第一方向延伸...

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深圳减字科技取得铰链结构及套镜专利,提高套镜的适配性金融界2024年10月30日消息,国家知识产权局信息显示,深圳减字科技有限公司取得一项名为“铰链结构及套镜”的专利,授权公告号CN 221884051 U,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本实用新型属于眼镜套镜技术领域,公开了一种铰链结构及套镜,该铰链结构设置于镜框和镜腿之间...

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╯^╰ 信利光电仁寿取得可节省字唛油墨层的盖板结构及触摸屏专利,能够...金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,信利光电仁寿有限公司取得一项名为“可节省字唛油墨层的盖板结构及触摸屏”的专利,授权公告号CN 221977214 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种可节省字唛油墨层的盖板结构,包括:盖板本体,盖板...

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字丑的都给我去练这个楷书常用间架结构楷书的间架结构是指笔画之间的组合方式和空间布局,关乎字的整体美感与稳定性,以下是具体详解: 重心平稳 重心是字的平衡中心,楷书要求重心平稳,以给人稳定之感。如“中”字,竖画位于正中,使字左右对称,重心平稳;“也”字,横折钩的折角处与竖弯钩的起笔处相对,共同支撑起字...

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长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利,提升字线的控制能力所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触,所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间,所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间,所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。本文源自金融...

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...结构屋顶结构及施工方法专利,便于屋顶机构人字梁落位安装时位置调节广州市房屋开发建设有限公司申请一项名为“一种钢结构的屋顶结构及施工方法”的专利,公开号 CN 118774312 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请涉及钢结构建筑施工的技术领域,针对传统钢结构建筑屋顶结构中的人字梁安装落位时位置调节较为不便的问题,提出了一种...

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